Saia-Burgess Controls AG Caractéristiques techniques
Document 27/635 ; Version FR03
│ 2014
-11-25 5
Caractéristiquestechniques
ENTRÉESANALOGIQUES
Nombred'entrées 8
Configuration AI0/AI1 0…10V
AI2/AI3/AI4/AI5: SélectionparcommutateurDIP
AI6/AI7 PT/NI1000
Séparationgalvanique non
Plagesdesignaux 0…10Vrésolution*)2,44mV
0…20mA,résolution*)4,88µA
*)Résolution=valeurdubitdepoidsfaible(least
significantbit‐LSB)
Résolution(représentationnumérique) 12bits(0…4095)respectivementdirectementà
1/10°Couà0,1Ω
Procédéderaccordementdescapteurs 2fils(entréepassive)
Principedemesure Unidirectionnelle
Résistanced'entrée Plage10V: 20kΩ
Plage20mA: 125Ω
PT/NI1000: 7,5kΩ
Filtred'entrée type 10ms(0…10V)
type 20ms(0…20mA;PT/NI1000)
Plagesd'entréedescapteursde
température
PT1000: ‐50…+400°C
NI1000: ‐60…+200°C
NI1000L&S ‐ 60…+200°C
Résistance 0…2500Ω
Résistance 0…300kΩ
Précisionà25°C ±0,5 %(±0,4 %±4LSB)
Erreurdetempérature(0à+55°C) ±0,25%
Protectioncontrelesdépassementsde
plage
Plage10V:+35V(39VTVSDiode)
Plage20mA:non(40mAmaxi)
Bornes 1bornieràressortenfichable,10contacts,3,5mm
pourlecâblagejusqu'à1mm
2
,orange
SORTIESANALOGIQUES
Nombredesorties 8
Séparationgalvanique non
Plagesdesignaux 0…10Vrésolution10mV,LSB(leastsignificantbit)
Résolution(représentationnumérique) 10bits(0…1023)
Précisionà25°C ±0,5%±50mV
Erreurdetempérature(0à+55°C) ±0,25%
Résistancedecharge 3kΩmini
Protectioncontrelescourts‐circuits oui,permanente
Bornes 1bornieràressortenfichable,10contacts,3,5mm
pourlecâblagejusqu'à1mm
2
,orange
Tableau1:Caractéristiquestechniquesdumodule